7月15日晚间仕佳光子(688313)公告，公司拟定增募资不超28亿元，扣除发行费用后拟用于高速AWG芯片及光互连组件产能建设项目、连续波（CW）激光器芯片及COC产业化项目、高密度光互连器件（MPO/MMC）产能扩建项目并补充流动资金。
据披露，高速AWG芯片及光互连组件产能建设项目建设周期为3年，项目总投资7.69亿元，投资内容包括场地投入、设备购置及安装、基本预备费、铺底流动资金等。项目主要用于提升公司高速AWG芯片及光互连组件的生产制造、封装耦合、检测筛选及可靠性验证能力。
仕佳光子表示，公司目前高速AWG芯片及光互连组件产能利用率处于较高水平，现有产能已难以完全满足下游客户持续增长的交付需求。公司晶圆芯片、AWG芯片及MT-FA组件等产品的生产涉及芯片加工、精密装配、光学耦合、封装测试、可靠性验证等多个环节，产能释放不仅受设备数量制约，也受关键工序节拍、测试筛选能力、良率水平和人员组织能力影响。随着产能趋紧，部分产品交付周期有所延长，对公司进一步承接客户订单和拓展市场份额形成一定制约。
本项目实施后，公司将通过新增生产、封装、测试及可靠性验证等关键环节能力，提升重点无源产品的规模化制造能力和批量交付能力，缓解现有产能瓶颈，保障客户订单稳定交付，并为公司进一步扩大高端无源产品市场份额、提升经营规模和盈利能力提供重要支撑。
连续波（CW）激光器芯片及COC产业化项目建设周期为3年，总投资金额14.56亿元，投资内容涵盖场地投入、设备购置及安装、基本预备费、铺底流动资金等。项目建成后，将提升公司100mW CW DFB激光器芯片、400mW CWDFB COC等产品的生产制造、封装测试及可靠性验证能力，满足高速光模块、硅光、CPO外置光源等应用场景对高功率、高可靠光源产品的需求。
仕佳光子表示，公司致力于成为全球领先的光芯片与器件解决方案提供商，将依托长期在光芯片领域的创新研发和产业化优势，坚持以自主开发光芯片为核心，从“无源+有源”逐步走向光电集成。随着信息传输需求的持续攀升，光芯片朝着更高功率、更快速率、光电集成等方向演进；新产品、新应用的不断涌现，对光芯片的制造与封装工艺提出更高要求。
项目将聚焦100mW CW DFB激光器芯片和400mWCWDFB COC，均属于公司有源产品平台的重要方向。其中，100mW CWDFB激光器芯片面向400G/800G/1.6T硅光模块，是公司现有有源芯片技术在数通市场的规模化延伸；400mW CW DFB COC面向3.2T、CPO外置光源，是公司向更高功率、更高集成度、更高端应用场景拓展的重要产品。项目建设有助于公司强化有源产品能力，与公司既有无源AWG、MT-FA、FAU等产品形成协同，提升公司在硅光、CPO和高速光模块产业链中的综合解决方案能力。
高密度光互连器件（MPO/MMC）产能扩建项目建设周期为3年，总投资金额1.72亿元，投资内容包括场地投入、设备购置及安装、基本预备费、铺底流动资金等。项目拟通过优化厂区生产布局、新增标准化生产线、引进自动化/半自动化设备等一系列措施，扩大公司MPO、MMC系列产品的产能规模，以满足下游客户持续增长的订单需求。
仕佳光子表示，本项目有助于扩大公司高密度光互连器件业务规模，提升规模化制造和批量交付能力。项目建成并达产后，预计将进一步增强公司盈利能力，对公司持续发展具有积极促进作用。
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